A liquid precursor for forming a transparent metal oxide thin film comprises a first organic precursor compound. In one embodiment, the liquid precursor is for making a conductive thin film. In this embodiment, the liquid precursor contains a first metal from the group including tin, antimony, and indium dissolved in an organic solvent. The liquid precursor preferably comprises a second organic precursor compound containing a second metal from the same group. Also, the liquid precursor preferably comprises an organic dopant precursor compound containing a metal selected from the group including niobium, tantalum, bismuth, cerium, yttrium, titanium, zirconium, hafnium, silicon, aluminum, zinc and magnesium. Liquid precursors containing a plurality of metals have a longer shelf life. The addition of an organic dopant precursor compound containing a metal, such as niobium, tantalum or bismuth, to the liquid precursor enhances control of the conductivity of the resulting transparent conductor. In a second embodiment, a liquid precursor for forming a transparent metal oxide nonconductive thin film comprises an organic precursor compound containing a metal from the group including cerium, yttrium, titanium, zirconium, hafnium, silicon, aluminum, niobium, tantalum, and bismuth. Liquid precursors of the invention preferably comprise a metal organic precursor compound, such as an ethylhexanoate, an octanoate, or a neodecanoate, dissolved in a solvent, such as xylenes, n-octane and n-butyl acetate.

Un precursore liquido per formare una pellicola sottile trasparente dell'ossido di metallo contiene un primo residuo organico del precursore. In un incorporamento, il precursore liquido è per fare una pellicola sottile conduttiva. In questo incorporamento, il precursore liquido contiene un primo metallo dal gruppo compreso latta, antimonio ed indio dissolto in un solvente organico. Il precursore liquido contiene preferibilmente un secondo residuo organico del precursore che contiene un secondo metallo dallo stesso gruppo. Inoltre, il precursore liquido contiene preferibilmente un residuo organico del precursore del dopant che contiene un metallo scelto dal gruppo compreso niobio, tantalio, bismuto, cerio, l'ittrio, il titanio, lo zirconio, l'afnio, il silicone, l'alluminio, lo zinco ed il magnesio. I precursori liquidi che contengono una pluralità di metalli hanno una durata a magazzino più lunga. L'aggiunta di un residuo organico del precursore del dopant che contiene un metallo, quali niobio, tantalio o bismuto, al precursore liquido aumenta il controllo della conducibilità del conduttore trasparente risultante. In un secondo incorporamento, un precursore liquido per formare una pellicola sottile nonconductive trasparente dell'ossido di metallo contiene un residuo organico del precursore che contiene un metallo dal gruppo compreso cerio, l'ittrio, il titanio, lo zirconio, l'afnio, il silicone, l'alluminio, il niobio, il tantalio ed il bismuto. I precursori liquidi dell'invenzione contengono preferibilmente un residuo organico del precursore del metallo, quale un etilexanoato, un ottanoato, o un neodecanoate, dissolto in un solvente, quali i xileni, l'n-ottano e l'acetato n-butilico.