A process for providing one or more protected copper elements on a surface of a workpiece is set forth. In accordance with the process, a barrier layer is applied to the workpiece. If the barrier layer is not suitable as a seed layer for subsequent electroplating processes, a separate seed layer is applied over the surface of the barrier layer. One or more copper elements are then electroplated on selected portions of the seed layer or, if suitable, the barrier layer. If used, the seed layer is then substantially removed. At least a portion of a surface of the barrier layer is rendered unplatable while leaving the copper elements suitable for electroplating. A protective layer is then electroplated onto surfaces of the one or more copper elements.

Μια διαδικασία για ένα ή περισσότερα προστατευμένα στοιχεία χαλκού σε μια επιφάνεια ενός κομματιού προς κατεργασία εκτίθεται. Σύμφωνα με τη διαδικασία, ένα στρώμα εμποδίων εφαρμόζεται στο κομμάτι προς κατεργασία. Εάν το στρώμα εμποδίων δεν είναι κατάλληλο ως στρώμα σπόρου για τις επόμενες διαδικασίες ηλεκτρολυτικής επιμετάλλωσης, ένα χωριστό στρώμα σπόρου εφαρμόζεται πέρα από την επιφάνεια του στρώματος εμποδίων. Ένα ή περισσότερα στοιχεία χαλκού επιμεταλλώνονται με ηλεκτρόλυση έπειτα στις επιλεγμένες μερίδες του στρώματος σπόρου ή, εάν κατάλληλος, του στρώματος εμποδίων. Εάν χρησιμοποιείται, το στρώμα σπόρου έπειτα ουσιαστικά αφαιρείται. Τουλάχιστον μια μερίδα μιας επιφάνειας του στρώματος εμποδίων καθίσταται unplatable αφήνοντας τα στοιχεία χαλκού κατάλληλα για. Ένα προστατευτικό στρώμα επιμεταλλώνεται με ηλεκτρόλυση έπειτα επάνω στις επιφάνειες των ενός ή περισσότερων στοιχείων χαλκού.

 
Web www.patentalert.com

< Processing machine with lockdown rotor

< Single semiconductor wafer processor

> Apparatus for low-temperature annealing of metallization microstructures in the production of a microelectronic device

> Semiconductor wafer processing apparatus

~ 00033