A method for filling recessed microstructures at a surface of a microelectronic workpiece, such as a semiconductor wafer, with metallization is set forth. In accordance with the method, a metal layer is deposited into the microstructures with a process, such as an electroplating process, that generates metal grains that are sufficiently small so as to substantially fill the recessed microstructures. The deposited metal is subsequently subjected to an annealing process at a temperature below about 100 degrees Celsius, and may even take place at ambient room temperature to allow grain growth which provides optimal electrical properties. Various novel apparatus for executing unique annealing processes are also set forth.

Une méthode pour remplir microstructures enfoncées sur une surface d'un objet microélectronique, tel qu'une gaufrette de semi-conducteur, de métallisation est déterminée. Selon la méthode, une couche en métal est déposée dans les microstructures avec un processus, tel qu'un processus de galvanoplastie, qui produit des grains en métal qui sont suffisamment petits afin de remplir sensiblement microstructures enfoncées. Le métal déposé est plus tard soumis à un procédé de recuit à une température au-dessous d'environ 100 degrés de Celsius, et peut même avoir lieu à la température ambiante ambiante pour permettre la croissance de grain qui fournit les propriétés électriques optimales. De divers appareillages de roman pour exécuter des procédés uniques de recuit sont également déterminés.