A method for fabricating a ferroelectric device with improved ferroelectric characteristics and which can provide a reliable contact resistance of a barrier metal layer. The method includes forming an adhesion layer and a barrier metal layer to be electrically connected to the contact plug buried in an insulating layer. The adhesion layer and the barrier layer is then patterned to define an upper surface and a sidewall thereof. An oxidation barrier layer is formed on sidewalls of the patterned layer. An oxide electrode layer and a metal electrode layer are formed thereon for forming a lower electrode. Next, a ferroelectric film and an upper electrode layer are formed thereon. Subsequently, the upper electrode layer, ferroelectric film, platinum and the oxide electrode are patterned to form a ferroelectric capacitor. A diffusion barrier layer is then formed to protect the ferroelectric capacitor.

Een methode om een ferroelectric apparaat met betere ferroelectric kenmerken te vervaardigen en die een betrouwbare contactweerstand van een laag van het barrièremetaal kunnen verstrekken. De methode omvat het vormen van een adhesielaag en een laag van het barrièremetaal dat elektrisch met de contactstop moet worden verbonden die in een het isoleren laag wordt begraven. De adhesielaag en de barrièrelaag zijn dan gevormd om een hogere oppervlakte en een zijwand daarvan te bepalen. Een laag van de oxydatiebarrière wordt gevormd op zijwanden van de gevormde laag. Een laag van de oxydeelektrode en een laag van de metaalelektrode worden gevormd daarop voor het vormen van een lagere elektrode. Daarna, worden een ferroelectric film en een hogere elektrodenlaag daarop gevormd. Later, zijn de hogere elektrodenlaag, ferroelectric film, het platina en de oxydeelektrode gevormd om een ferroelectric condensator te vormen. Een laag van de verspreidingsbarrière wordt dan gevormd om de ferroelectric condensator te beschermen.