It is an object of the present invention to provide an aqueous dispersion and CMP slurry that can achieve polishing at an adequate rate without producing scratches in the polishing surfaces of wafer working films, and a polishing process for wafer surfaces and a process for manufacture of a semiconductor device using them. A CMP slurry and the like of the present invention contains polymer particles with a crosslinked structure and a mean particle size of 0.13-0.8 .mu.m. The CMP slurry may contain no surfactant, and may contain the surfactant of not greater than 0.15 wt %. A CMP slurry and the like of another present invention contains polymer particles and inorganic particles of silica, aluminum and the like. A mean particle size of the polymer particles may be not greater than a mean particle size of the inorganic particles. And the mean particle size of the inorganic coagulated particles may be 0.1-1.0 .mu.m, and may be smaller than the mean particle size of the polymer particles. The CMP slurry is used as a polishing agent and a working film of a silicon oxide film, an aluminum film, a tungsten film or a copper film formed on a wafer is polished. And a semiconductor device is manufactured by using the CMP slurry.

È un oggetto di presente invenzione per fornire una dispersione acquosa e residui del CMP che possono realizzare la lucidatura ad un tasso sufficiente senza produrre le graffiature nelle superfici di lucidatura delle pellicole di funzionamento della cialda e un processo di lucidatura per le superfici della cialda e un processo per la fabbricazione di dispositivo a semiconduttore usando. I residui del CMP ed i simili di presente invenzione contengono le particelle del polimero con una struttura unita con legami atomici incrociati e una dimensione delle particelle media di 0.13-0.8 mu.m. I residui del CMP non possono non contenere agente tensioattivo e possono contenere l'agente tensioattivo di non più notevolmente %. A dei residui del CMP dei di 0.15 pesi e simili di un'altra presente invenzione contiene le particelle del polimero e le particelle inorganiche del silicone, dell'alluminio e dei simili. Una dimensione delle particelle media delle particelle del polimero può essere non più grande di una dimensione delle particelle media delle particelle inorganiche. E la dimensione delle particelle media delle particelle coagulate inorganiche può essere 0.1-1.0 mu.m e può essere più piccola della dimensione delle particelle media delle particelle del polimero. I residui del CMP sono usati come un agente di lucidatura e una pellicola di funzionamento di una pellicola dell'ossido del silicone, di una pellicola di alluminio, di una pellicola del tungsteno o di una pellicola di rame hanno formato su una cialda è lucidato. E un dispositivo a semiconduttore è prodotto usando i residui del CMP.