A read-only memory is made electrically addressable over a passive conductor matrix, wherein the volume between intersection of two conductors (2; 4) in the matrix defines a memory cell (5). Data are stored as impedance values in the memory cells. The memory cells (5) comprise either an isolating material (6) which provides high impedance or one or more inorganic or organic semiconductors (9), preferably with an anisotropic conducting property. The semiconductor material (9) forms a diode junction at the interface to a metallic conductor (2; 4) in the matrix. By suitable arrangement of respectively the isolating material (6) and semiconductor material (9) in the memory cells these may be given a determined impedance value which may be read electrically and corresponds to logical values in a binary or multi-valued code. One or more read-only memories (ROM) may be provided on a semiconductor substrate (1) which also comprises driver and control circuits (13), to accomplish a read-only memory device. The device may be realized either planar or also volumetrically by stacking several read-only memories (ROM) in horizontal layers (15) and connecting them with the substrate (1) via addressing buses.

Une mémoire morte est rendue électriquement accessible au-dessus d'une matrice passive de conducteur, où le volume entre l'intersection de deux conducteurs (2 ; 4) dans la matrice définit une cellule de mémoire (5). Des données sont stockées comme valeurs d'impédance dans les cellules de mémoire. Les cellules de mémoire (5) comportent l'un ou l'autre un matériel d'isolement (6) qui fournit l'impédance élevée ou un ou plusieurs semi-conducteurs inorganiques ou organiques (9), de préférence avec une propriété de conduite anisotrope. Le matériel de semi-conducteur (9) forme une jonction de diode à l'interface à un conducteur métallique (2 ; 4) dans la matrice. Par arrangement approprié respectivement du matériel d'isolement (6) et du matériel de semi-conducteur (9) dans les cellules de mémoire ceux-ci peuvent être donnés une valeur déterminée d'impédance qui peut être lue électriquement et correspond aux valeurs logiques dans un code binaire ou à valeurs multiples. Une ou plusieurs mémoires mortes (ROM) peuvent être fournies sur un substrat de semi-conducteur (1) qui comporte également le conducteur et les circuits de commande (13), pour accomplir un dispositif de la mémoire morte. Le dispositif peut être planaire réalisé ou aussi volumétriquement en empilant plusieurs mémoires mortes (ROM) dans des couches horizontales (15) et en les reliant au substrat (1) par l'intermédiaire des bus d'adresses.