The invention provides an organic EL device with improved luminous efficiency. The device has a structure comprising an inorganic non-degenerate semiconductor layer 12, an organic light-emitting layer 14 and a counter electrode 16 as formed in that order on a lower electrode 10, in which the inorganic non-degenerate semiconductor layer 12 is formed of an amorphous material of In--Zn--Al--O and its band gap energy is 2.9 eV.

Die Erfindung versieht eine organische EL Vorrichtung mit verbesserter leuchtender Leistungsfähigkeit. Die Vorrichtung hat eine Struktur, eine anorganische nichtentartete Halbleiterschicht 12, eine organische lichtemittierende Schicht 14 und eine Gegenelektrode 16 zu enthalten, wie gebildet in diesem Auftrag auf einer untereren Elektrode 10, in der die anorganische nichtentartete Halbleiterschicht 12 von einem formlosen Material -- Zn -- in des Als gebildet wird -- O und seine Bandabstand Energie ist eV 2.9.