This invention provides a cleaning method of cleaning a laser mark formed on a semiconductor wafer. A semiconductor wafer is rotated in a circumferential direction, and a laser mark is detected indirectly or directly in a non-contact manner. Rotation of the semiconductor wafer is controlled on the basis of detection of the laser mark, and an ultrasonic vibration-applied processing solution is sprayed to the laser mark.

Questa invenzione fornisce un metodo di pulizia di pulitura del contrassegno del laser formato su una cialda a semiconduttore. Una cialda a semiconduttore è ruotata in un senso della circonferenza e un contrassegno del laser è rilevato indirettamente o direttamente in un modo senza contatto. La rotazione della cialda a semiconduttore è controllata in base a rilevazione del contrassegno del laser e una soluzione d'elaborazione vibrazione-applicata ultrasonica è spruzzata al contrassegno del laser.