Disclosed is a triple metal line 1T/1C ferroelectric memory device and a method to make the same. A ferroelectric capacitor is connected to the transistor through a buried contact plug. An oxidation barrier layer lies between the contact plug and the lower electrode of the capacitor. A diffusion barrier layer covers the ferroelectric capacitor to prevent diffusion of material into or out of capacitor. As a result of forming the oxidation barrier layer, the contact plug is not exposed to the ambient oxygen atmosphere thereby providing a reliable ohmic contact between the contact plug and the lower electrode. Also, the memory device provides a triple interconnection structure made of metal, which improves device operation characteristics.

Показаны, что втройне приспособление памяти линии 1T/1ЈC металла ferroelectric и метод делают эти же. Ferroelectric конденсатор подключен к транзистору через похороненную штепсельную вилку контакта. Слой барьера оксидации лежит между штепсельной вилкой контакта и более низким электродом конденсатора. Слой барьера диффузии покрывает ferroelectric конденсатор для того чтобы предотвратить диффузию материала в или из конденсатор. В результате формировать слой барьера оксидации, штепсельная вилка контакта не подвергается действию к окружающей атмосфере кислорода таким образом предусматривая надежный омовский контакт между штепсельной вилкой контакта и более низким электродом. Также, приспособление памяти обеспечивает втройне структуру соединения сделанную из металла, который улучшает характеристики деятельности приспособления.