A thermal detector device comprising an array of thermal detector elements, an array of microbridge structures comprising the array of thermal detector elements, readout silicon integrated circuitry (ROIC) and an interconnect layer on which the array of microbridge structures are arranged. The interconnect layer comprises a plurality of conducting interconnect channels providing an electrical connection between the microbridge structures and input contacts on the ROIC such that the microbridge structures are in electrical contact with, but are separated from, the readout silicon integrated circuitry. As the interconnect layer separates the microbridge structures from the ROIC, the detector material, typically a ferroelectric material, may be fabricated on the microbridge structures at a deposition or anneal temperature which is not limited by the avoidance of damage to the ROIC. Deposition temperatures of at least 500.degree. C. or, preferably, at higher temperatures e.g. 700.degree. C.-900.degree. C., may therefore be used, enabling the fabrication of high performance ferroelectric or microbolometer thermal detector arrays. The invention also relates to a method of fabricating high performance thermal detector arrays comprising an interconnect layer.

Un dispositivo termal del detector que abarca un arsenal de elementos termales del detector, un arsenal de microbridge estructura abarcar el arsenal de los elementos termales del detector, del trazado de circuito integrado silicio de la lectura (ROIC) y de una capa de la interconexión en los cuales el arsenal de estructuras del microbridge se arregla. La capa de la interconexión abarca una pluralidad de los canales de la interconexión que conducen que proporcionan una conexión eléctrica entre las estructuras del microbridge y la entrada entra en contacto con en el ROIC tales que las estructuras del microbridge están en contacto eléctrico con, pero se separa de, el trazado de circuito integrado silicio de la lectura. Pues la capa de la interconexión separa las estructuras del microbridge del ROIC, el material del detector, típicamente un material ferroelectric, puede ser fabricado en las estructuras del microbridge en una deposición o recocer la temperatura que no es limitada por la evitación del daño al ROIC. Temperaturas de la deposición por lo menos de 500.degree. C. o, preferiblemente, en temperaturas más altas e.g. 700.degree. C.-900.degree. La C., se puede por lo tanto utilizar, permitiendo la fabricación del alto rendimiento ferroelectric o de los órdenes termales del detector del microbolometer. La invención también se relaciona con un método de fabricar los órdenes termales del detector del alto rendimiento que abarcan una capa de la interconexión.