A copper metallization structure and its method of formation in which a layer of a copper alloy, such as Cu--Mg or Cu--Al is deposited over a silicon oxide based dielectric layer and a substantially pure copper layer is deposited over the copper alloy layer. The copper alloy layer serves as a seed or wetting layer for subsequent filling of via holes and trenches with substantially pure copper. Preferably, the copper alloy is deposited cold in a sputter process, but, during the deposition of the pure copper layer or afterwards in a separate annealing step, the temperature is raised sufficiently high to cause the alloying element of the copper alloy to migrate to the dielectric layer and form a barrier there against diffusion of copper into and through the dielectric layer. This barrier also promotes adhesion of the alloy layer to the dielectric layer, thereby forming a superior wetting and seed layer for subsequent copper full-fill techniques. Filling of the alloy-lined feature can be accomplished using PVD, CVD, or electro/electroless plating.

Uma estrutura de cobre do metallization e seu método da formação em que uma camada de uma liga de cobre, tal como o cu -- magnésio ou cu -- al são depositados sobre uma camada dieléctrica baseada óxido do silicone e uma camada de cobre substancialmente pura é depositada sobre a camada da liga de cobre. A camada da liga de cobre serve como uma semente ou uma camada da molhadela para o enchimento subseqüente através de furos e de trincheiras com cobre substancialmente puro. Preferivelmente, a liga de cobre é frio depositado em um processo do sputter, mas, durante o deposition da camada de cobre pura ou mais tarde em uma etapa separada do recozimento, a temperatura é levantada suficientemente altamente para fazer com que o elemento alloying da liga de cobre migre à camada dieléctrica e dê forma a uma barreira lá de encontro à difusão do cobre e com na camada dieléctrica. Esta barreira promove também a adesão da camada da liga à camada dieléctrica, dando forma desse modo a uma molhadela superior e a camada da semente para de cobre subseqüente cheio-enche técnicas. O enchimento da característica liga-alinhada pode ser realizado usando o chapeamento de PVD, de CVD, ou de electro/electroless.