The driving circuit for an NDRO-FRAM includes several NDRO-FRAM (Non Destructive Non Volatile Ferroelectric Random Access Memory) cells each having a drain, a bulk, a source and a gate and arranged as a matrix. A plurality of reading word lines are separately connected to each drain of the NDRO-FRAM cells arranged in columns, and a plurality of writing word lines are separately connected to each bulk of the NDRO-FRM cells arranged in columns. Several data level transmission circuits for transmitting a data level of the NDRO-FRAM cells are also included, which are connected to a plurality of data level transmission circuits. Accordingly, the present invention is capable of reading and writing of data on the NDRO-FRAM cells.

Der treibende Stromkreis für ein NDRO-FRAM schließt einige NDRO-FRAM (nicht zerstörender nicht löschbarer Ferroelectric RAM) Zellen jede ein, die einen Abfluß, einen Hauptteil hat, eine Quelle und ein Gatter und geordnet als Matrix. Eine Mehrzahl der Lesewortlinien werden separat an jeden Abfluß der NDRO-FRAM Zellen angeschlossen, die in den Spalten geordnet werden, und eine Mehrzahl der Schreiben Wortlinien werden separat an jeden Hauptteil der NDRO-FRM Zellen angeschlossen, die in den Spalten geordnet werden. Einige Bezugsebene-Getriebestromkreise für das Übertragen einer Bezugsebene der NDRO-FRAM Zellen sind auch eingeschlossen, die an eine Mehrzahl der Bezugsebene-Getriebestromkreise angeschlossen werden. Dementsprechend ist die anwesende Erfindung zum Messwert und zum Schreiben von Daten bezüglich der NDRO-FRAM Zellen fähig.