The array includes: a plurality of pseudo spin valve (PSV) cells; a plurality of parallel bit lines, wherein a plurality of bit lines are straight lines and located under the plurality of pseudo spin valve (PSV) cells; a plurality of parallel word lines, wherein a plurality of word lines are continuous-bended lines having a first straight line, a second straight line and a third straight line. These straight lines of the word lines are orthogonal each other, wherein the first straight line and the third straight line are parallel. The first straight line and the third straight line are individually orthogonal with the direction of the bit lines. Furthermore, the second straight lines of the word lines are individually located on the pseudo spin valve (PSV) cells, and the second straight lines are parallel with the direction of the bit lines, so as to increase the magnetresistance ratio.

Η σειρά περιλαμβάνει: μια πολλαπλότητα των ψευδο κυττάρων βαλβίδων περιστροφής (PSV) μια πολλαπλότητα των παράλληλων γραμμών κομματιών, όπου μια πολλαπλότητα των γραμμών κομματιών είναι ευθείες γραμμές και τοποθετημένος κάτω από την πολλαπλότητα των ψευδο κυττάρων βαλβίδων περιστροφής (PSV) μια πολλαπλότητα των παράλληλων γραμμών λέξης, όπου μια πολλαπλότητα των γραμμών λέξης είναι συνεχής- οι γραμμές που έχουν μια πρώτη ευθεία γραμμή, μια δεύτερη ευθεία γραμμή και μια τρίτη ευθεία γραμμή. Αυτές οι ευθείες γραμμές των γραμμών λέξης είναι ορθογώνιες μεταξύ τους, όπου η πρώτη ευθεία γραμμή και η τρίτη ευθεία γραμμή είναι παράλληλες. Η πρώτη ευθεία γραμμή και η τρίτη ευθεία γραμμή είναι χωριστά ορθογώνιες με την κατεύθυνση των γραμμών κομματιών. Επιπλέον, οι δεύτερες ευθείες γραμμές των γραμμών λέξης βρίσκονται χωριστά στα ψευδο κύτταρα βαλβίδων περιστροφής (PSV), και οι δεύτερες ευθείες γραμμές είναι παράλληλες με την κατεύθυνση των γραμμών κομματιών, ώστε να αυξηθεί η αναλογία magnetresistance.