A ferroelectric memory and method for fabricating the same includes a plurality of first gate electrodes and second gate electrodes formed on an active region of a substrate electrically separated form each other, a plurality of first electrodes of first ferroelectric capacitors each connected to the substrate at one side of the first gate electrode, and a plurality of first electrodes of the second ferroelectric capacitors each connected to the substrate at one side of the second gate electrode. Ferroelectric layers respectively formed on the first electrodes, and second electrodes are formed on the ferroelectric layers. A first metal line electrically couples the plurality of first gate electrodes, and a second metal line electrically couples the plurality of second gate electrodes. The ferroelectric memory has a simplified fabrication process and an increased area of the capacitor that is favorable for high density device packing. The first and second metal lines can be the second electrodes of the ferroelectric capacitors.

Een ferroelectric geheugen en een methode om het zelfde te vervaardigen omvatten een meerderheid van eerste poortelektroden en tweede poortelektroden die op een actief gebied van een substraat elektrisch gescheiden vorm elkaar worden gevormd, een meerderheid van eerste elektroden van eerste ferroelectric condensatoren elk verbonden met het substraat aan één kant van de eerste poortelektrode, en een meerderheid van eerste elektroden van de tweede ferroelectric condensatoren elk verbonden met het substraat aan één kant van de tweede poortelektrode. Ferroelectric lagen die respectievelijk op de eerste elektroden worden gevormd, en de tweede elektroden worden gevormd op de ferroelectric lagen. Een eerste metaallijn koppelt elektrisch de meerderheid van eerste poortelektroden, en een tweede metaallijn koppelt elektrisch de meerderheid van tweede poortelektroden. Het ferroelectric geheugen heeft een vereenvoudigd vervaardigingsproces en een verhoogd gebied van de condensator die voor high-density apparatenverpakking gunstig is. De eerste en tweede metaallijnen kunnen de tweede elektroden van de ferroelectric condensatoren zijn.

 
Web www.patentalert.com

< (none)

< Reduction of imprint in ferroelectric devices using a depoling technique

> Process for fabricating article comprising photonic band gap material

> (none)

~ 00036