An improved lithographic process for fabricating articles comprising photonic band gap materials with micron-scale periodicities is provided, the process readily capable of being performed by current lithographic processes and equipment. The process involves providing a three-dimensional structure made up of a plurality of stacked layers, where each layer contains a substantially planar lattice of shapes of a first material, typically silicon, with interstices between the shapes. Each shape contacts at least one shape of an adjacent layer, the interstices throughout the plurality of layers are interconnected, and the interstices comprise a second material, e.g., silicon dioxide. Typically, the second material is etched from the interconnected interstices to provide a structure of the first material and air, this structure designed to provide a particular photonic band gap.

Un processus lithographique amélioré pour fabriquer des articles comportant les matériaux photonic d'espace de bande avec micron-mesurent des périodicités est fourni, le processus aisément capable de l'exécution par des processus lithographiques courants et équipement. Le processus implique de fournir à une structure tridimensionnelle composée d'une pluralité de couches empilées, où chaque couche contient un trellis essentiellement planaire des formes d'un premier matériel, typiquement silicium, des interstices entre les formes. Chaque forme entre en contact avec au moins une forme d'une couche adjacente, les interstices dans toute la pluralité de couches sont reliés ensemble, et les interstices comportent un deuxième matériel, par exemple, bioxyde de silicium. Typiquement, le deuxième matériel est gravé à l'eau-forte des interstices reliés ensemble pour fournir une structure du premiers matériel et air, cette structure conçue pour fournir un espace photonic particulier de bande.