Methods are disclosed for selective deposition on desired materials. In particular, barrier materials are selectively formed on insulating surfaces, as compared to conductive surfaces. In the context of contact formation and trench fill, particularly damascene and dual damascene metallization, the method advantageously lines insulating surfaces with a barrier material. The selective formation allows the deposition to be "bottomless," thus leaving the conductive material at a via bottom exposed for direct metal-to-metal contact when further conductive material is deposited into the opening after barrier formation on the insulating surfaces. Desirably, the selective deposition is accomplished by atomic layer deposition (ALD), resulting in highly conformal coverage of the insulating sidewalls in the opening.

De methodes worden onthuld voor selectief deposito op gewenste materialen. In het bijzonder worden de barrièrematerialen selectief gevormd op het isoleren oppervlakten, in vergelijking tot geleidende oppervlakten. In de context van contactvorming en geul vul, in het bijzonder damascene en dubbele damascenemetallisering, de methode voordelig lijnen die oppervlakten met een barrièremateriaal isoleren. De selectieve vorming staat bodemloos het deposito toe om "te zijn," waarbij het geleidende materiaal wordt verlaten bij a via bodem die voor direct metal-to-metal contact wordt blootgesteld wanneer het verdere geleidende materiaal in het openen na barrièrevorming op de het isoleren oppervlakten wordt gedeponeerd. Wenselijk, wordt het selectieve deposito verwezenlijkt door atoomlaagdeposito (ALD), resulterend in hoogst conforme dekking van de isolerende zijwanden in het openen.