A two etchant etch method for etching a layer that is part of a masked structure is described. The method is useful, for example, in microelectrical mechanical system (MEMS) applications, and in the fabrication of integrated circuits and other electronic devices. The method can be used advantageously to optimize a plasma etch process capable of etching strict profile control trenches with 89.degree.+/-1.degree. sidewalls in silicon layers formed as part of a mask structure where the mask structure induces variations in etch rate. The inventive two etchant etch method etches a layer in a structure with a first etchant etch until a layer in a fastest etching region is etched. The layer is then etched with a second etchant until a layer in a region with a slowest etch rate is etched. A second etchant may also be selected to provide sidewall passivation and selectivity to an underlying layer of the structure.

Un metodo etchant incissione all'acquaforte due per incidere uno strato all'acquaforte che fa parte di una struttura mascherata è descritto. Il metodo è utile, per esempio, nelle applicazioni meccaniche microelectrical del sistema (MEMS) e nella lavorazione dei circuiti integrati e di altri dispositivi elettronici. Il metodo può essere usato vantaggiosamente per ottimizzare un processo incissione all'acquaforte del plasma capace delle trincee rigorose di controllo di profilo acquaforte con i muri laterali 89.degree.+/-1.degree. negli strati del silicone formati come componente di una struttura della mascherina in cui la struttura della mascherina induce le variazioni nel tasso incissione all'acquaforte. Due incissione all'acquaforte etchant inventive di metodo incissione all'acquaforte un lo strato in una struttura con prima incissione all'acquaforte etchant fino ad uno strato in una regione acquaforte la più veloce è incisa. Lo strato allora è inciso con un secondo etchant fino ad incidere uno strato all'acquaforte in una regione con un tasso incissione all'acquaforte il più lento. Un secondo etchant può anche essere selezionato per fornire la passività e la selettività del muro laterale ad uno strato di fondo della struttura.