A vertical cavity surface emitting semiconductor laser is formed with a multilayer structure on a semiconductor substrate that includes an active region layer, a central core, and an antiresonant reflecting waveguide ring surrounding the central core. The ring includes a region formed to have an effective higher index than the central core and sized to provide antiresonant lateral waveguiding confinement of a fundamental mode wavelength. Reflectors formed above and below the active region layer provide vertical confinement. The antiresonant reflecting ring may be formed either as a full ARROW structure including a quarter wavelength high effective index region and a quarter wavelength low effective index region or as a simplified ARROW structure having a single quarter wavelength high effective index region. The antiresonant reflecting ring provides efficient lateral confinement of the fundamental mode while allowing lateral leakage of higher modes to substantially suppress these modes, resulting in substantially single mode operation at relatively high powers.

Un laser d'émission extérieur de semi-conducteur de cavité verticale est formé avec une structure multicouche sur un substrat de semi-conducteur qui inclut une couche active de région, un noyau central, et un anneau se reflétant antiresonant de guide d'ondes entourant le noyau central. L'anneau inclut une région formée pour avoir un index plus élevé efficace que le noyau central et classée pour fournir l'emprisonnement waveguiding latéral antiresonant d'une longueur d'onde fondamentale de mode. Les réflecteurs ont formé au-dessus de et au-dessous de la couche active de région fournissez l'emprisonnement vertical. L'anneau se reflétant antiresonant peut être formé comme pleine structure de FLÈCHE comprenant une région efficace élevée d'index de longueur d'onde quarte et une basse région efficace d'index de longueur d'onde quarte ou comme structure simplifiée de FLÈCHE ayant une région efficace élevée d'index de longueur d'onde quarte simple. L'anneau se reflétant antiresonant fournit l'emprisonnement latéral efficace du mode fondamental tout en permettant à la fuite latérale des modes plus élevés de supprimer sensiblement ces modes, ayant pour résultat l'opération de mode essentiellement unitaire aux puissances relativement élevées.