In a method of processing or drying a semiconductor wafer, the wafer is withdrawn from a fluid bath at an inclined angle, and at a selected withdrawal speed. A solvent vapor is provided at the surface of the bath, to create a surface tension gradient and promote drying, or removal of the fluid from the wafer surface. After the wafer is entirely withdrawn from the rinsing liquid, the wafer is rotated briefly, to remove any remaining fluid via centrifugal force, without the fluid drying on the wafer. The wafer is held onto a rotor assembly which rotates the wafer within an enclosed chamber, and which is also pivoted within the chamber, to position the wafer at the incline angle.

En un método de procesar o de secar una oblea de semiconductor, la oblea se retira de un baño flúido a un ángulo inclinado, y a una velocidad de retiro seleccionada. Un vapor solvente se proporciona en la superficie del baño, para crear un gradiente de la tensión de superficie y para promoverlo el secarse, o retiro del líquido de la superficie de la oblea. Después de que la oblea se retire enteramente del líquido que aclara, la oblea se rota brevemente, para quitar cualquier líquido restante vía fuerza centrífuga, sin la sequedad flúida en la oblea. La oblea se sostiene sobre un montaje del rotor que rote la oblea dentro de un compartimiento incluido, y que también se gira dentro del compartimiento, a la posición la oblea en el ángulo de la pendiente.