A process for applying a metallization interconnect structure to a semiconductor workpiece having a barrier layer deposited on a surface thereof is set forth. The process includes the forming of an ultra-thin metal seed layer on the barrier layer. The ultra-thin seed layer having a thickness of less than or equal to about 500 Angstroms. The ultra-thin seed layer is then enhanced by depositing additional metal thereon to provide an enhanced seed layer. The enhanced seed layer has a thickness at all points on sidewalls of substantially all recessed features distributed within the workpiece that is equal to or greater than about 10% of the nominal seed layer thickness over an exteriorly disposed surface of the workpiece.

Μια διαδικασία για μια επιμετάλλωση διασυνδέει τη δομή σε ένα κομμάτι προς κατεργασία ημιαγωγών που έχει ένα στρώμα εμποδίων κατατεθειμένο σε μια επιφάνεια επ' αυτού εκτίθεται. Η διαδικασία περιλαμβάνει τη διαμόρφωση ενός ultra-thin στρώματος σπόρου μετάλλων στο στρώμα εμποδίων. Το ultra-thin στρώμα σπόρου που έχει ένα πάχος λιγότερο ή ίσο προς περίπου 500 Angstroms. Το ultra-thin στρώμα σπόρου ενισχύεται έπειτα με να εναποθέσει το πρόσθετο μέταλλο για να παρέχει επ'αυτού ένα ενισχυμένο στρώμα σπόρου. Το ενισχυμένο στρώμα σπόρου έχει ένα πάχος σε όλα τα σημεία sidewalls ουσιαστικά όλων των τοποθετημένων χαρακτηριστικών γνωρισμάτων που διανέμονται μέσα στο κομμάτι προς κατεργασία που είναι ίσο με ή μεγαλύτερο από περίπου 10% του ονομαστικού πάχους στρώματος σπόρου πέρα από μια έξωθεν διατεθειμένη επιφάνεια του κομματιού προς κατεργασία.