A means to minimize physical distortion and modifications in the electrical properties of ferroelectric films incorporated into semiconductor devices is proposed. By introducing crystallographic texture into these ferroelectric films, the piezoelectric coefficient of the material can be minimized, reducing the interaction between a voltage across and mechanical stress on the film. In addition to having low piezoelectric coefficients, rhombohedral lead zirconate titanate films oriented along (111) exhibit low coercive fields and high remnant polarization, increasing their usefulness in layered semiconductor devices.

Os meios minimizar a distorção e modificações físicas nas propriedades elétricas das películas ferroelectric incorporadas em dispositivos de semicondutor são propostos. Introduzindo a textura crystallographic nestas películas ferroelectric, o coeficiente piezoelectric do material pode ser minimizado, reduzindo a interação entre uma tensão transversalmente e o stress mecânico na película. Além a ter coeficientes piezoelectric baixos, películas rhombohedral do titanate do zirconate da ligação orientadas ao longo (de 111) campos coercive baixos da exibição e polarization elevado do resto, aumentando sua utilidade em dispositivos de semicondutor mergulhados.