On part of a semiconductor layer 1 between a drain region 2 and a source region 3 are formed in succession; a gate oxide film 4, a floating gate electrode 5, a ferroelectric layer 6, and a control gate electrode 7. A silicon oxide film 9 of a dielectric constant lower than that of the ferroelectric layer 6 is disposed between the floating gate electrode 5 and the ferroelectric layer 6 in the area excluding approximate central area of the active region. The silicon oxide film 9 is sufficiently small in dielectric constant than the ferroelectric layer. Since the capacitance of the portion where the silicon oxide film 9 is present can be neglected, substantial capacitance of the ferroelectric layer can be reduced, so that an increased partial voltage can be applied.

На части слоя 1 полупроводника между зоной 2 стока и зоной 3 источника сформируйте в последовательности; пленка 4 окиси строба, плавая электрод строба 5, ferroelectric слой 6, и электрод строба 7 управления. Пленка 9 окиси кремния диэлектрической константы более низкой чем то из ferroelectric слоя 6 размещана между плавая электродом строба 5 и ferroelectric слоем 6 в зоне исклучая приблизительной центральной зоны активно зоны. Пленка 9 окиси кремния достаточно мала в диэлектрической константе чем ferroelectric слой. С емкости части где пленка 9 окиси кремния присутствует можно упустить, существенная емкость ferroelectric слоя можно уменьшить, так, что увеличенное частично напряжение тока можно приложить.