A semiconductor device includes a capacitor having a lower electrode (102), a high-dielectric-constant or ferroelectric thin film (103), and an upper electrode (104) which are subsequently stacked. An impurity having an action of suppressing the catalytic activity of a metal or a conductive oxide constituting the electrode is added to the upper electrode (104). The addition of the impurity is effective to prevent inconveniences such as a reduction in capacitance, an insulation failure, and the peeling of the electrode due to hydrogen heat-treatment performed after formation of the upper electrode (104), and to improve the long-term reliability.

Un dispositivo de semiconductor incluye un condensador que tiene un electrodo más bajo (102), una película fina alto-diele'ctrico-constante o ferroelectric (103), y un electrodo superior (104) que se apilen posteriormente. Una impureza que tiene una acción de suprimir la actividad catalítica de un metal o de un óxido conductor que constituye el electrodo se agrega al electrodo superior (104). La adición de la impureza es eficaz prevenir inconveniencias tales como una reducción en capacitancia, una falta del aislamiento, y la peladura del electrodo debido al tratamiento térmico del hidrógeno realizado después de la formación del electrodo superior (104), y mejorar la confiabilidad a largo plazo.