A plurality of sense amplifiers are provided between a plurality of memory cell arrays having a plurality of memory cells. These sense amplifiers are connected to bit lines of the respective memory cell arrays by array selection switches. Each of the sense amplifiers is connected to data lines by column switches. An array control portion is provided at each of the memory cell arrays. This array control portion selectively controls the array selection switches and column switches to transmit the data in an arbitrary memory cell in a memory cell array to the data lines through the sense amplifier.

Una pluralidad de amplificadores del sentido se proporciona entre una pluralidad de órdenes de célula de memoria que tienen una pluralidad de células de memoria. Estos amplificadores del sentido son conectados con las líneas del pedacito de los órdenes de célula respectivos de memoria por los interruptores de la selección del arsenal. Cada uno de los amplificadores del sentido es conectado con las líneas de datos por los interruptores de la columna. Una porción del control del arsenal se proporciona en cada uno de los órdenes de célula de memoria. Esta porción del control del arsenal controla selectivamente los interruptores de la selección del arsenal y los interruptores de la columna para transmitir los datos en una célula de memoria arbitraria en un arsenal de célula de memoria a las líneas de datos a través del amplificador del sentido.