In a semiconductor device of MOS structure, the element region has a shape such as a square shape which has a plurality of sides and a plurality of corners. On the element region, a conductive film which constitutes one electrode of the MOS structure is formed. The other electrode of the MOS structure is a silicon substrate. The conductive film is provided so as to cover at least sides adjacent to each other and so as not to cover the corners including the corners which are the contact points (intersecting points) of the adjacent sides. Further, in case the element region is in a ring shape, the conductive film is provided so as to cover none of the corners including the inside corners of the ring-shaped element region. By the above-mentioned structure, the occurrence of breakdown in the insulation film in the MOS structure can be prevented, and the reliability thereof can be enhanced.

In einem Halbleiterelement der MOS Struktur, hat die Elementregion eine Form wie eine quadratische Form, die eine Mehrzahl der Seiten und eine Mehrzahl der Ecken hat. Auf der Elementregion wird ein leitender Film, der festsetzt, eine Elektrode der MOS Struktur gebildet. Die andere Elektrode der MOS Struktur ist ein Silikonsubstrat. Der leitende Film wird zur Verfügung gestellt, um mindestens Seiten neben einander zu umfassen und damit, die Ecken einschließlich die Ecken nicht zu umfassen, die die Kontaktpunkte (schneidene Punkte) der angrenzenden Seiten sind. Weiter falls die Elementregion in einer Ringform ist, wird der leitende Film zur Verfügung gestellt, um keine der Ecken einschließlich die inneren Ecken der ring-shaped Elementregion zu umfassen. Durch die obenerwähnte Struktur kann das Auftreten des Zusammenbruches im Isolierung Film in der MOS Struktur verhindert werden, und die Zuverlässigkeit kann davon erhöht werden.