The semiconductor device comprises a first electrode 36, a ferroelectric film 38 formed on the first electrode, and a second electrode 46 formed on the ferroelectric film. The first electrode or the second electrode comprises SrRuO.sub.x films 30, 40 with Pb and/or Bi added. Pb and Bi are added to the SRO film, whereby the diffusion of the Pb and Bi contained in the ferroelectric film into the SRO film are suppressed, which leads to an improvement of capacitor ferroelectric properties. Thus, the semiconductor device can realize low-voltage operation and hydrogen deterioration resistance by using the SRO film.

El dispositivo de semiconductor abarca un primer electrodo 36, una película ferroelectric 38 formada en el primer electrodo, y un segundo electrodo 46 formado en la película ferroelectric. El primer electrodo o el segundo electrodo abarca las películas 30, 40 con Pb y/o BI de SrRuO.sub.x agregado. El Pb y el BI se agregan a la película de SRO, por el que la difusión del Pb y el BI contenido en la película ferroelectric en la película de SRO se supriman, que conduce a una mejora de las características ferroelectric del condensador. Así, el dispositivo de semiconductor puede realizar la resistencia de baja tensión de la deterioración de la operación y del hidrógeno usando la película de SRO.