An improved and novel multi-layer thin film device including a graded-stoichiometry insulating layer (16) and a method of fabricating a multi-layer thin film device including a graded-stoichiometry insulating layer (16). The device structure includes a substrate (12), a first electrode (14), a second electrode (18), and a graded-stoichiometry insulating, or tunnel-barrier, layer (16) formed between the first electrode (14) and the second electrode (18). The graded-stoichiometry insulating tunnel-barrier layer (16) includes graded stoichiometry to compensate for thickness profile and thereby produce a uniform tunnel-barrier resistance across the structure (10). In addition, included is a method of fabricating a multi-layer thin film device (10) including a graded-stoichiometry insulating tunnel-barrier layer (16) including the steps of providing (40) a substrate (12), depositing (44) a first electrode (14) on the substrate (12), depositing (46) a metal layer (21) on a surface of the first electrode (14), reacting (50; 52; or 54) the metal layer (21) to form a insulating tunnel-barrier layer with uniform tunneling resistance (16) by using a non-uniform reaction process (21) and depositing (56) a second electrode (18) on the uniform tunneling insulating layer (16).

Een beter en nieuw multi-layer dunne filmapparaat met inbegrip van een de sorteren-stoichiometrie het isoleren laag (16) en een methode om een multi-layer dunne filmapparaat met inbegrip van een de sorteren-stoichiometrie het isoleren laag (16) te vervaardigen. De apparatenstructuur omvat een substraat (12), een eerste elektrode (14), een tweede elektrode (18), en de sorteren-stoichiometrie het isoleren, of tunnel-barrière, laag (16) die tussen eerste elektrode (14) en tweede elektrode (18) wordt gevormd. De sorteren-stoichiometrie het isoleren omvat tunnel-barrière laag (16) de gesorteerde stoichiometrie om dikteprofiel te compenseren en daardoor eenvormige een tunnel-barrière weerstand over structuur (10) te veroorzaken. Bovendien omvatte is een methode om een multi-layer dunne filmapparaat (10) met inbegrip van de sorteren-stoichiometrie het isoleren een tunnel-barrière laag (16) met inbegrip van de stappen te vervaardigen van het verstrekken van (40) een substraat (12), deponerend (44) een eerste elektrode (14) op substraat (12), deponerend (46) een metaallaag (21) op een oppervlakte van eerste elektrode (14), het reageren (50;,52; of 54) metaallaag (21) om het isoleren een tunnel-barrière laag met eenvormige het een tunnel graven weerstand (16) te vormen door een niet-uniform reactieproces (21) te gebruiken en (56) een tweede elektrode (18) op eenvormige het een tunnel graven het isoleren laag (16) te deponeren.