A chemical amplification type resist composition contains as a photoacid generator a sulfonyldiazomethane compound of the formula (1): ##STR1## wherein R.sup.1 is C.sub.1-10 alkyl or C.sub.6-14 aryl, R.sup.2 is C.sub.1-6 alkyl, G is SO.sub.2 or CO, R.sup.3 is C.sub.1-10 alkyl or C.sub.6-14 aryl, p is an integer of 0 to 4, q is an integer of 1 to 5, 1.ltoreq.p+q.ltoreq.5, n is 1 or 2, m is 0 or 1, and n+m=2. The composition is suited for microfabrication, especially by deep UV lithography because of many advantages including improved resolution, minimized line width variation or shape degradation even on long-term PED, minimized debris after coating, development and peeling, and improved pattern profile after development.

Un tipo químico de la amplificación resiste la composición contiene como generador del photoacid un compuesto del sulfonyldiazomethane del fórmula (1): ## del ## STR1 en donde R.sup.1 es el alkyl C.sub.1-10 o el aryl C.sub.6-14, R.sup.2 es el alkyl C.sub.1-6, G es SO.sub.2 o CO, R.sup.3 es el alkyl C.sub.1-10 o el aryl C.sub.6-14, p es un número entero de 0 a 4, q es un número entero de 1 a 5, 1.ltoreq.p+q.ltoreq.5, n es 1 o 2, m es 0 o 1, y n+m=2. La composición se satisface para el microfabrication, especialmente por litografía UV profunda debido a muchas ventajas incluyendo la resolución mejorada, la línea reducida al mínimo variación de la anchura o degradación de la forma incluso en PED a largo plazo, ruina reducida al mínimo después de cubrir, desarrollo y peladura, y perfil mejorado del patrón después del desarrollo.