It is possible to produce high purity Si by heating solid SiO at a temperature of at least 1000.degree. C. and lower than 1730.degree. C., for a disproportionation reaction in which the SiO solid is decomposed to liquid or solid Si and solid SiO.sub.2, and the produced Si is separated from the SiO.sub.2 and/or SiO. The SiO solid can be obtained by a process whereby a starting mixture of carbon C, silicon Si or ferrosilicon, or a combination thereof, with SiO.sub.2 is heated to generate SiO gas-containing gas, and the SiO-containing gas is cooled to produce SiO solid.

É possível produzir o silicone do purity elevado por SiO contínuo aquecendo-se em uma temperatura ao menos de 1000.degree. O C. e abaixa do que 1730.degree. O C., para uma reação do disproportionation em que o sólido de SiO decomposed ao silicone líquido ou contínuo e a SiO.sub.2 contínuo, e o silicone produzido são separados do SiO.sub.2 e/ou do SiO. O sólido de SiO pode ser obtido por um processo por meio de que uma mistura começando do carbono C, o silicone do silicone ou o ferrosilicon, ou uma combinação disso, com o SiO.sub.2 é aquecida para gerar o gás gás-contendo de SiO, e o gás SiO-contendo é refrigerado para produzir o sólido de SiO.