A top surface imaging technique for top pole tip width control in a magnetoresistive ("MR") or giant magnetoresistive ("GMR") read/write head is disclosed in which a multi-layer structure is employed to define the thick photoresist during processing resulting in much improved dimensional control. To this end, a relatively thin upper photoresist layer is patterned with much improved resolution, an intermediate metal or ceramic layer is then defined utilizing the upper photoresist layer as a reactive ion etching ("RIE") mask, with the intermediate layer then being used as an etching mask to define the bottom-most thick photoresist layer in a second RIE process. As a consequence, a much improved sub-micron pole tip width along with a high aspect ratio and vertical profile is provided together with much improved critical dimension control.

Eine Oberfläche Belichtung Technik für obere Pfostenspitze-Breite Steuerung in einem magnetoresistenten ("HERR") oder riesigen magnetoresistenten ("GMR") Lese-Schreibkopf wird freigegeben, in dem eine mehrschichtige Struktur eingesetzt wird, um den starken Photoresist während der Verarbeitung zu definieren, resultierend in vieler verbesserter Meßprüfung. Zu diesem Zweck patterned eine verhältnismäßig dünne obere Photoschicht mit vieler verbesserter Auflösung, ein Zwischenmetall, oder die keramische Schicht wird dann die obere Photoschicht verwendend während eine reagierende Ionenradierung ("RIE") Schablone definiert, wenn die Zwischenschicht dann als Radierung Schablone verwendet ist, die Unterseite-am meisten starke Photoschicht in einem zweiten RIE Prozeß zu definieren. Als Folge wird eine viel verbesserte sub-micron Pfostenspitzebreite zusammen mit einem hohen Längenverhältnis und vertikales Profil zusammen mit vieler verbesserter kritischer Maßsteuerung zur Verfügung gestellt.