An electronic fast switch for operation at room temperature utilizing uniform silicon nanoparticles (.about.1 nm with about 1 part per thousand exceeding 1 nm) between two conducting electrodes. The silicon nanoparticles, when on an n-type silicon substrate exhibit, at zero bias, a large differential conductance, approaching near full transparency. The conductance is observed after one of the electrode is first biased at a voltage in the range 3 to 5 eV (switching voltage), otherwise the device does not conduct (closed). A practical MOSFET switch of the invention includes the silicon nanoparticles in a body of the MOSFET, with the gate and substrate forming the two conducting electrodes. Electrodes may be realized by metal in other switches of the invention.

Um interruptor rápido eletrônico para a operação na temperatura de quarto que utiliza os nanoparticles uniformes do silicone (about.1 nm com aproximadamente 1 porção por mil que excedem 1 nm) entre dois elétrodos conduzindo. Os nanoparticles do silicone, quando em um n-tipo exibição da carcaça do silicone, na polarização zero, um conductance diferencial grande, aproximando-se perto da transparência cheia. O conductance está observado depois que um do elétrodo está inclinado primeiramente em uma tensão na escala 3 a o eV 5 (tensão do switching), se não o dispositivo não conduz (fechado). Um interruptor prático do MOSFET da invenção inclui os nanoparticles do silicone em um corpo do MOSFET, com a porta e a carcaça que dão forma aos dois elétrodos conduzindo. Os elétrodos podem ser realizados pelo metal em outros interruptores da invenção.