A single electron memory device including quantum dots between a gate electrode and a single electron storage element and a method for manufacturing the same, wherein the single electron memory device includes a substrate on which a nano-scale channel region is formed between a source and a drain, and a gate lamination pattern including quantum dots on the channel region. The gate lamination pattern includes a lower layer formed on the channel region, a single electron storage medium storing a single electron tunneling through the lower layer formed on the lower layer, an upper layer including quantum dots formed on the single electron storage medium, and a gate electrode formed on the upper layer to be in contact with the quantum dots.

Ein einzelnes Elektrongrößtintegriertes Speicherbauelement einschließlich Menge punktiert zwischen einer Gate-Elektrode und einem einzelnen Elektronspeicherelement und einer Methode für die Produktion dasselbe, worin das einzelne Elektrongrößtintegrierte Speicherbauelement ein Substrat miteinschließt, auf dem Führung Region wird gebildet zwischen einer Quelle und einem Abfluß nano-einstufen Sie, und ein Gatterlaminierungmuster einschließlich Quantenpunkte auf der Führung Region. Das Gatterlaminierungmuster schließt eine niedrigere Schicht ein, die auf der Führung Region, ein einzelnes Elektronspeichermedium gebildet wird, das ein einzelnes Elektron speichert, das durch die niedrigere Schicht einen Tunnel anlegt, die auf der niedrigeren Schicht, einer oberen Schicht einschließlich die Quantenpunkte gebildet wird, die auf dem einzelnen Elektronspeichermedium gebildet werden, und einer Gate-Elektrode, die auf der oberen Schicht gebildet wird, um in Verbindung mit den Quantenpunkten zu sein.