A circuit for driving a non-volatile ferroelectric memory is provided in which a driver has a boost circuit that simplifies a wordline driver and applies a boosted voltage to a wordline without loss of a threshold voltage. The driving circuit increases a current driving capability and increases integration. The memory includes a plurality of split wordline pairs each having a first split wordline and a second split wordline, a plurality of bitlines in a direction crossing the split wordline pairs, and a cell array having a plurality of unit cells each with a switching transistor and a ferroelectric capacitor both coupled between each of the wordline pairs and each of the bitlines. The driving circuit can include an X address signal forwarder having a first plurality of transistors coupled to the global wordline controlled by a global X decoder, a split wordline driving signal forwarder having a second plurality of transistors each for providing a driving signal for drilling the first and second wordline pair under the control of an output voltage of a corresponding one the of the first transistors, and a bypass between the global wordline and the first and second split wordlines for bypassing floating voltages on the split wordlines. The first plurality of transistors can be coupled to the corresponding global wordline in series or in parallel.

Un circuito para conducir una memoria ferroelectric permanente se proporciona en la cual un conductor tenga un circuito del alza que simplifique un conductor del wordline y aplique un voltaje alzado a un wordline sin pérdida de un voltaje del umbral. El circuito que conduce aumenta una capacidad que conduce actual y aumenta la integración. La memoria incluye una pluralidad de pares partidos del wordline cada uno que tiene un primer wordline de la fractura y un segundo wordline de la fractura, una pluralidad de bitlines en una dirección que cruza los pares del wordline de la fractura, y un arsenal de célula que tiene una pluralidad de células de la unidad cada uno con un transistor de la conmutación y un condensador ferroelectric juntados entre cada uno de los pares del wordline y cada uno de los bitlines. El circuito que conduce puede incluir un promotor de la señal de la dirección de X que tiene una primera pluralidad de transistores juntados al wordline global controlado por un decodificador global de X, un promotor partido de la señal que conduce del wordline que tiene una segunda pluralidad de transistores cada uno para proporcionar una señal que conduce para perforar el primer y segundo par del wordline bajo control de un voltaje de la salida de correspondiente de los primeros transistores, y puente entre el wordline global y los primeros y segundos wordlines de la fractura para puentear voltajes flotantes en los wordlines partidos. La primera pluralidad de transistores se puede juntar al wordline global correspondiente en serie o en paralelo.