A method and system for providing a top pinned spin-dependent tunneling sensor is disclosed. The method and system include providing a free layer, a tunneling barrier, a synthetic pinned layer and an antiferromagnetic layer. The free layer is ferromagnetic. The tunneling barrier is an insulator. The tunneling barrier is disposed between the free layer and the synthetic pinned layer. The synthetic pinned layer is ferromagnetic and includes a ferromagnetic top layer. The synthetic pinned layer is between the tunneling barrier and the antiferromagnetic layer. The ferromagnetic top layer acts as a seed layer for the antiferromagnetic layer.

Een methode en een systeem om een bovenkant gespelde rotatie-afhankelijke een tunnel gravende sensor worden te verstrekken onthuld. De methode en het systeem omvatten het verstrekken van een vrije laag, een een tunnel gravende barrière, een synthetische gespelde laag en een antiferromagnetic laag. De vrije laag is ferromagnetisch. De een tunnel gravende barrière is een isolatie. De een tunnel gravende barrière wordt geschikt tussen de vrije laag en de synthetische gespelde laag. De synthetische gespelde laag is ferromagnetisch en omvat een ferromagnetische hoogste laag. De synthetische gespelde laag is tussen de een tunnel gravende barrière en de antiferromagnetic laag. De ferromagnetische hoogste laag doet dienst als zaadlaag voor de antiferromagnetic laag.