An abrasive composition for polishing a semiconductor device, comprising cerium oxide, a water-soluble organic compound having at least one group of --COOH, --COOM.sub.X (wherein M.sub.X is an atom or a functional group capable of substituting a H atom to form a salt), --SO.sub.3 H or --SO.sub.3 M.sub.Y (wherein M.sub.Y is an atom or a functional group capable of substituting a H atom to form a salt), and water a process for forming shallow trench isolations using this abrasive composition.

Μια λειαντική σύνθεση για τη στίλβωση μιας συσκευής ημιαγωγών, συμπερίληψη του οξειδίου δημήτριου, μια υδροδιαλυτή οργανική ένωση που έχει τουλάχιστον μια ομάδα -- COOH, -- του COOM.sub.X (όπου M.sub.X είναι ένα άτομο ή μια λειτουργική ομάδα ικανό ένα άτομο χ για να διαμορφώσει ένα άλας), -- SO.sub.3 χ ή -- SO.sub.3 M.sub.Y (όπου M.sub.Y είναι ένα άτομο ή μια λειτουργική ομάδα ικανό ένα άτομο χ για να διαμορφώσει ένα άλας), και ποτίζουν μια διαδικασία για τις ρηχές απομονώσεις τάφρων χρησιμοποιώντας αυτήν την λειαντική σύνθεση.