Removing particles and metallic contaminants without corrosing the metallized wirings and without giving adverse effect of planarization on the semiconductor substrate surface can be effectively achieved by use of a cleaning agent which comprises an organic acid having at least one carboxyl group and a complexing agent having chelating ability.

Das Entfernen der Partikel und der metallischen verunreiniger, ohne die metallisierten Verdrahtungen corrosing und ohne schädliche Wirkung von planarization auf der Halbleitersubstratoberfläche zu geben, kann mittels ein Reinigungsmittel effektiv erzielt werden, das eine organische Säure enthält, die mindestens eine Karboxyl- Gruppe haben und ein erschwerendes Mittel, das chelierende Fähigkeit hat.