A new and improved method for growing a p-type nitride III-V compound semiconductor is provided which can produce a p-type nitride compound semiconductors having a high carrier concentration, without the need for annealing to activate impurities after growth. In a preferred embodiment, a p-type nitride compound semiconductor, such as p-type GaN, is grown by metal organic chemical vapor deposition methods using a nitrogen source material which does not release hydrogen during release of nitrogen and the semiconductor is grown in an inactive gas. The nitrogen source materials may be selected from nitrogen compounds that contain hydrogen radicals and alkyl radicals and/or phenyl radicals provided that the total amount of hydrogen radicals is less than or equal to the sum total of alkyl radicals and phenyl radicals present in the nitrogen compound used as the nitrogen source material.

On fournit une méthode nouvelle et améliorée pour accroître un p-type semi-conducteur composé de la nitrure III-V qui peut produire un p-type semi-conducteurs composés de nitrure ayant une concentration en porteur élevée, sans besoin de recuit pour activer des impuretés après croissance. Dans un mode de réalisation préféré, un p-type semi-conducteur composé de nitrure, tel que le p-type GaN, est développé par des méthodes organiques de déposition en phase vapeur en métal en utilisant un matériel de source d'azote qui ne libère pas l'hydrogène pendant le dégagement de l'azote et le semi-conducteur est développé dans un gaz inactif. Les matériaux de source d'azote peuvent être choisis parmi les composés d'azote qui contiennent les radicaux d'hydrogène et les radicaux de radical et/ou phényliques alkyliques à condition que le montant total de radicaux d'hydrogène soit inférieur ou égal à le total de somme de radicaux alkyliques et de radicaux phényliques actuels dans le composé d'azote utilisé comme matériel de source d'azote.