An inorganic film with a double-layers structure is used as an etching mask in an EEPROM area to pattern a double-layers gate, while a thin inorganic film obtained by removing one layer of the double-layers inorganic film by etching is used as an etching mask in a CMOS logic circuit area. Therefore, the gate pattern can be formed with high precision by using a thin etching mask in the CMOS logic circuit area.

Ein anorganischer Film mit einer Doppeltschichten Struktur wird als Radierung Schablone in einem EEPROM Bereich pattern ein Doppeltschichten Gatter benutzt, während ein dünner anorganischer Film, der erhalten wird, indem man eine Schicht des Doppeltschichten anorganischen Filmes durch Radierung entfernt, als Radierung Schablone in einem CMOS Koinzidenzschaltungbereich benutzt wird. Folglich kann das Gattermuster mit hoher Präzision gebildet werden, indem man eine dünne Radierung Schablone im CMOS Koinzidenzschaltungbereich verwendet.