A method of manufacturing a barrier metal layer uses atomic layer deposition (ALD) as the mechanism for depositing the barrier metal. The method includes supplying a first source gas onto the entire surface of a semiconductor substrate in the form of a pulse, and supplying a second source gas, which reacts with the first source gas, onto the entire surface of the semiconductor substrate in the form of a pulse. In a first embodiment, the pulses overlap in time so that the second source gas reacts with part of the first source gas physically adsorbed at the surface of the semiconductor substrate to thereby form part of the barrier metal layer by chemical vapor deposition whereas another part of the second source gas reacts with the first source gas chemically adsorbed at the surface of the semiconductor substrate to thereby form part of the barrier metal layer by atomic layer deposition. Thus, the deposition rate is greater than if the barrier metal layer were only formed by ALD. In the second embodiment, an impurity-removing gas is used to remove impurities in the barrier metal layer. Thus, even if the gas supply scheme is set up to only use ALD in creating the barrier metal layer, the deposition rate can be increased without the usual accompanying increase in the impurity content of the barrier metal layer.

Une méthode de fabriquer une couche en métal de barrière emploie le dépôt atomique de couche (ALD) comme mécanisme pour déposer le métal de barrière. La méthode inclut assurer un premier gaz de source sur la surface entière d'un substrat de semi-conducteur sous forme d'impulsion, et assurer un gaz de la deuxième source, qui réagit avec le premier gaz de source, sur la surface entière du substrat de semi-conducteur sous forme d'impulsion. Dans une première incorporation, les impulsions recouvrent à temps de sorte que le gaz de la deuxième source réagisse avec une partie du premier gaz de source physiquement adsorbé de ce fait sur la surface du substrat de semi-conducteur à la pièce de forme de la couche en métal de barrière par la déposition en phase vapeur tandis qu'une autre partie du gaz de la deuxième source réagit avec le premier gaz de source chimiquement adsorbé de ce fait sur la surface du substrat de semi-conducteur à la pièce de forme de la couche en métal de barrière par le dépôt atomique de couche. Ainsi, le taux de dépôt est plus grand que si la couche en métal de barrière étaient seulement constituées par ALD. Dans la deuxième incorporation, un gaz d'impureté-enlèvement est employé pour enlever des impuretés dans la couche en métal de barrière. Ainsi, même si l'arrangement d'offre de gaz est installé pour employer seulement ALD en créant la couche en métal de barrière, le taux de dépôt peut être augmenté sans augmentation d'accompagnement habituelle de la teneur en impureté de la couche en métal de barrière.