There is provided a semiconductor device including (a) a semiconductor substrate, (b) a capacity device, (c) an interlayer insulating layer formed between the semiconductor substrate and the capacity device for electrically isolating them with each other, the interlayer insulating layer being formed below the capacity device with a contact hole therethrough, (d) a contact plug composed of an electrically conductive material and formed in the contact hole, (e) a first film composed of a first material through which hydrogen is not allowed to pass, and formed between the interlayer insulating layer and capacity device, (f) a second film composed of a second material through which hydrogen is not allowed to pass, and formed on an inner wall of the contact hole, (g) a third film composed of a third material through which hydrogen is not allowed to pass, and formed to cover an upper surface of the capacity device therewith, and (h) a fourth film composed of a fourth material through which hydrogen is not allowed to pass, and formed to cover a side surface of the capacity device therewith. The first, second, third, and fourth materials are silicon nitride, for instance. Since a capacity device having a capacitive film composed of metal oxide readily reduced by hydrogen is entirely covered with first to fourth films, which are composed of silicon nitride, for instance, it is possible to avoid the capacitive film from being reduced, which ensures that the capacitive film is not deteriorated.

É fornecido um dispositivo de semicondutor including (a) uma carcaça do semicondutor, (b) um dispositivo da capacidade, (c) um a camada isolando do interlayer deu forma entre a carcaça do semicondutor e o dispositivo da capacidade para eletricamente isolá-los com se, a camada isolando do interlayer que está sendo dada forma abaixo do dispositivo da capacidade com um furo do contato therethrough, (d) um plugue do contato compôs de um material eletricamente condutor e deu forma no furo do contato, (e) uma primeira película compôs de um primeiro material através de que o hidrogênio não é permitido passar, e é dado forma entre a camada isolando do interlayer e o dispositivo da capacidade, (f) uma segunda película composta de um segundo material através de que hidrogênio não é reservada para passar, e dado forma em uma parede interna do furo do contato, (g) uma terceira película composta de um terceiro material através de que o hidrogênio não é permitido passar, e dada forma para cobrir therewith uma superfície superior do dispositivo da capacidade, e (h) uma quarta película compuseram de um quarto material através de que o hidrogênio não é permitido passar, e é dado forma à tampa a uma superfície lateral do dispositivo da capacidade therewith. Os primeiros, segundos, terceiros, e quartos materiais são nitride de silicone, por exemplo. Desde um dispositivo da capacidade ter uma película capacitiva composta do óxido de metal reduzido prontamente pelo hidrogênio é coberto inteiramente com primeiramente às quartas películas, que são compostas do nitride de silicone, por exemplo, é possível evitar a película capacitiva de ser reduzido, que se assegura de que a película capacitiva não esteja deteriorada.