A structure and method for conductive layer and inter-metal dielectric layer is disclosed. Firstly, a conductive layer and an anti-reflection coating layer are formed on a substrate. A photolithography and an etching is then carried out to form conductive structure. Dielectric spacers are then formed on the sidewalls of the conductive structure. An organic dielectric layer is coated on the semiconductor substrate and etched back with the anti-reflection coating layer as stopping layer. The anti-reflection coating layer is then removed. An inorganic dielectric layer and a dielectric cap layer are deposited on the conductive structure and the organic dielectric layer. The structure fabricated comprises a conductive layer formed on a substrate; dielectric spacers formed on the sidewalls of the conductive layer; an organic dielectric layer formed to fill the regions among the conductive layer; an inorganic dielectric layer formed on the conductive layer and the organic dielectric layer; a planarized cap layer formed on the inorganic dielectric layer.

Una struttura e un metodo per lo strato conduttivo e lo strato dielettrico del inter-metallo è rilevata. In primo luogo, uno strato conduttivo e uno strato ricoprente di antiriflessione sono formati su un substrato. Un photolithography ed acquaforte allora è effettuato per formare la struttura conduttiva. I distanziatori dielettrici allora sono formati sui muri laterali della struttura conduttiva. Uno strato dielettrico organico è rivestito sul substrato a semiconduttore ed è inciso indietro con lo strato ricoprente di antiriflessione come arresto dello strato. Lo strato ricoprente di antiriflessione allora è rimosso. Uno strato dielettrico inorganico e uno strato dielettrico della protezione sono depositati sulla struttura conduttiva e sullo strato dielettrico organico. La struttura fabbricata contiene uno strato conduttivo formato su un substrato; i distanziatori dielettrici hanno formato sui muri laterali dello strato conduttivo; uno strato dielettrico organico ha formato per riempire le regioni fra lo strato conduttivo; uno strato dielettrico inorganico ha formato sullo strato conduttivo e sullo strato dielettrico organico; la a planarized lo strato della protezione formato sullo strato dielettrico inorganico.