An improved diode or rectifier structure and method of fabrication is disclosed involving the incorporation in a Schottky rectifier, or the like, of a dielectric filled isolation trench structure formed in the epitaxial layer adjacent the field oxide layers provided at the edge of the active area of the rectifier, for acting to enhance the field plate for termination of the electric field generated by the device during operation. The trench is formed in a closed configuration about the drift region and by more effectively terminating the electric field at the edge of the drift region the field is better concentrated within the drift region and acts to better interrupt reverse current flow and particularly restricts leakage current at the edges.

Uma estrutura melhorada do diodo ou do retificador e o método da fabricação são divulgados que envolvem a incorporação em um retificador de Schottky, ou o gosto, de uma estrutura enchida dieléctrica da trincheira da isolação dada forma na camada epitaxial adjacente as camadas do óxido do campo fornecidas na borda da área ativa do retificador, porque de agir realçar a placa do campo para a terminação do campo elétrico gerado pelo dispositivo durante a operação. A trincheira é dada forma em uma configuração closed sobre a região da tração e mais eficazmente terminando o campo elétrico na borda da região da tração o campo é concentrado mais melhor dentro da região da tração e age para melhorar o fluxo atual reverso da interrupção e restringe particularmente a corrente do escapamento nas bordas.