A method of forming an iridium and platinum containing film on a substrate, such as a semiconductor wafer using complexes of the formula L.sub.y IrX.sub.z, wherein: each L group is independently a neutral or anionic ligand; each Y group is independently a pi bonding ligand selected from the group of CO, NO, CN, CS, N.sub.2, PX.sub.3, PR.sub.3, P(OR).sub.3, AsX.sub.3, AsR.sub.3, As(OR).sub.3, SbX.sub.3, SbR.sub.3, Sb(OR).sub.3, NH.sub.x R.sub.3-x, CNR, and RCN, wherein R is an organic group and X is a halide; y=1 to 4; z=1 to 4; x=0 to 3.

Een methode om een iridium en een platina te vormen die film op een substraat, zoals een halfgeleiderwafeltje bevatten die complexen van de formule L.sub.y IrX.sub.z gebruiken, waarin: elke groep van L is onafhankelijk een neutrale of anionische ligand; elke groep van Y is onafhankelijk pi plakken ligand geselecteerd uit de groep Co, nr, CN, Cs, N.sub.2, PX.sub.3, PR.sub.3, P(OR).sub.3, AsX.sub.3, AsR.sub.3, As(OR).sub.3, SbX.sub.3, SbR.sub.3, Sb(OR).sub.3, NH.sub.x r.sub.3-X, CNR, en RCN, waarin R een organische groep is en X een halogenide is; y=1 aan 4; z=1 aan 4; x=0 aan 3.