Methods of forming hafnium oxide, zirconium oxide and nanolaminates of hafnium oxide and zirconium oxide are provided. These methods utilize atomic layer deposition techniques incorporating nitrate-based precursors, such as hafnium nitrate and zirconium nitrate. The use of these nitrate based precursors is well suited to forming high dielectric constant materials on hydrogen passivated silicon surfaces.

Οι μέθοδοι hafnium το οξείδιο, οξείδιο ζιρκονίου και nanolaminates hafnium του οξειδίου και οξείδιο ζιρκονίου παρέχονται. Αυτές οι μέθοδοι χρησιμοποιούν τις ατομικές τεχνικές απόθεσης στρώματος που ενσωματώνουν τους άλας-βασισμένους στον προδρόμους, όπως hafnium το νιτρικό άλας και το νιτρικό άλας ζιρκονίου. Η χρήση αυτών των βασισμένων στο νιτρικό άλας προδρόμων ταιριάζει καλά στη διαμόρφωση των υψηλών υλικών διηλεκτρικής σταθεράς παθητικοποιημένες στις υδρογόνο επιφάνειες πυριτίου.