A semiconductor memory device including an NVRAM cell structure, a DRAM cell structure and an SRAM cell structure. The NVRAM cell structure, the DRAM cell structure, and the SRAM cell structure are on the same semiconductor on insulator substrate. An NVRAM cell structure. Processes for forming a memory structure that includes NVRAM, DRAM, and/or SRAM memory structures on one semiconductor on insulator substrate and processes for forming a new NVRAM cell structure. Preferably, the semiconductor-on-insulator substrate is an SOI substrate, a silicon on glass substrate or a silicon on sapphire substrate, as appropriate for a particular application.

Un dispositivo di memoria a semiconduttore compreso una struttura delle cellule di NVRAM, una struttura delle cellule di DRAM e una struttura delle cellule di SRAM. La struttura delle cellule di NVRAM, la struttura delle cellule di DRAM e la struttura delle cellule di SRAM sono sullo stesso semiconduttore sul substrato dell'isolante. Una struttura delle cellule di NVRAM. Processi per formare una struttura di memoria che include strutture di memoria di NVRAM, di DRAM e/o di SRAM su un semiconduttore sul substrato e sui processi dell'isolante per formare una nuova struttura delle cellule di NVRAM. Preferibilmente, il substrato dell'semiconduttore-su-isolante è un substrato di SOI, un silicone sul substrato di vetro o un silicone sul substrato dello zaffiro, come adatto per un'applicazione particolare.