MRAM architectures are disclosed that produce an increased write margin and write selectivity without significantly reducing the packing density of the memory. The major axes of the magneto-resistive bits are offset relative to the axes of the digital lines to produce a magnetic field component from the digital line current that extends along the major axis of the magneto-resistive bits.

As arquiteturas de MRAM são divulgadas que produzem aumentado escrevem a margem e escrevem o selectivity sem significativamente reduzir a densidade de embalagem da memória. Os machados principais dos bocados magneto-resistive são deslocados relativo aos machados das linhas digitais para produzir um componente do campo magnético da linha digital corrente que estende ao longo da linha central principal dos bocados magneto-resistive.