This plating apparatus 4 includes a plating bath 15 filled up with a plating solution, a first O ring 17 arranged on a top part of the plating bath 15, for electrical connection with an underlying electrode 18 formed on a wafer 2, a second O ring 20 arranged on the top part of the plating bath 15 so as to prevent the plating solution in the plating bath 15 from contact with the first O ring 17, an anode plate 24 disposed in the plating bath 15 and an ultrasonic oscillating element 26 arranged in the plating bath 15. The plating apparatus 4 is capable of forming a plating film having an uniform thickness on the semiconductor wafer.

Dieser Überzugapparat 4 schließt ein Überzugbad ein 15, das oben mit einer Überzuglösung, einem ersten O Ring 17 geordnet werden auf einem Oberteil des Überzugbades 15, denn elektrischem Anschluß mit einer zugrundeliegenden Elektrode gefüllt wird 18, die auf einer Oblate 2 gebildet wird, einem zweiten O Ring 20, der auf dem Oberteil des Überzugbades 15 geordnet werden, um die Überzuglösung im Überzugbad 15 am Kontakt mit dem ersten O Ring 17 zu verhindern, einer Anode Platte 24, die im Überzugbad 15 abgeschaffen werden und einem oszillierenden Ultraschallelement 26, das im Überzugbad 15 geordnet wird. Der Überzugapparat 4 ist zur Formung eines Überzugfilmes fähig, der eine konstante Stärke auf dem Halbleiterplättchen hat.