The present invention relates to an enhanced sequential atomic layer
deposition (ALD) technique suitable for deposition of barrier layers,
adhesion layers, seed layers, low dielectric constant (low-k) films, high
dielectric constant (high-k) films, and other conductive, semi-conductive,
and non-conductive films. This is accomplished by 1) providing a
non-thermal or non-pyrolytic means of triggering the deposition reaction;
2) providing a means of depositing a purer film of higher density at lower
temperatures; and, 3) providing a faster and more efficient means of
modulating the deposition sequence and hence the overall process rate
resulting in an improved deposition method. It is emphasized that this
abstract is provided to comply with the rules requiring an abstract that
will allow a searcher or other reader to quickly ascertain the subject
matter of the technical disclosure. It is submitted with the understanding
that it will not be used to interpret or limit the scope or meaning of the
claims.
Die anwesende Erfindung bezieht auf einer erhöhten aufeinanderfolgenden AtomTechnik der schichtabsetzung (ALD), die für Absetzung der Grenzschichten, der Adhäsion Schichten, der Samenschichten, der niedrigen (niedrigen-k verwendbar ist) Filme der Dielektrizitätskonstante, der hohen (hohen-k) Filme der Dielektrizitätskonstante und anderer leitender, halb-leitender und nicht leitfähiger Filme. Dieses wird vollendet, indem man 1) nicht-thermische oder nicht-pyrolytische Mittel des Auslösens der Absetzungreaktion zur Verfügung stellt; 2) Zur Verfügung stellen Mittel des Niederlegens eines reineren Filmes der höheren Dichte bei den niedrigeren Temperaturen; und, 3), schnellere und leistungsfähigere Mittel des Modulierens der Absetzungreihenfolge und folglich der gesamten Prozeßrate zur Verfügung stellend, resultierend in einer verbesserten Absetzungmethode. Es wird hervorgehoben, daß dieser Auszug zur Verfügung gestellt wird, um mit den Richtlinien übereinzustimmen, die einen Auszug erfordern, der einen Forscher oder anderem Leser erlaubt, das Thema der technischen Freigabe schnell zu ermitteln. Es wird mit dem Verständnis eingereicht, daß es nicht verwendet wird, um den Bereich oder die Bedeutung der Ansprüche zu deuten oder zu begrenzen.
