Integrated circuit fabrication technique for constructing novel MEMS devices, specifically band-pass filter resonators, in a manner compatible with current integrated circuit processing, and completely encapsulated to optimize performance and eliminate environmental corrosion. The final devices may be constructed of single-crystal silicon, eliminating the mechanical problems associated with using polycrystalline or amorphous materials. However, other materials may be used for the resonator. The final MEMS device lies below the substrate surface, enabling further processing of the integrated circuit, without protruding structures. The MEMS device is about the size of a SRAM cell, and may be easily incorporated into existing integrated circuit chips. The natural frequency of the device may be altered with post-processing or electronically controlled using voltages and currents compatible with integrated circuits.

Schaltungherstellung Technik für das Konstruieren der Vorrichtungen des Romans MEMS, spezifisch Bandpaßfilterresonatore, in gewissem Sinne kompatibel mit der gegenwärtigen integrierten Schaltung, die und vollständig eingekapselt, um Leistung zu optimieren und Klimakorrosion zu beseitigen verarbeitet. Die abschließenden Vorrichtungen können aus Einzelnkristall Silikon konstruiert werden und die mechanischen Probleme beseitigen, die mit dem Verwenden der polykristallinen oder formlosen Materialien verbunden sind. Jedoch können andere Materialien für den Resonator benutzt werden. Die abschließende MEMS Vorrichtung liegt unterhalb der Substratoberfläche und ermöglicht der Weiterverarbeitung der integrierten Schaltung, ohne hervorstehende Strukturen. Die MEMS Vorrichtung ist über die Größe einer SRAM Zelle und kann in vorhandene Schaltungspäne leicht verbunden werden. Die natürliche Frequenz der Vorrichtung kann mit Nachbearbeitung geändert werden oder mit den Spannungen und Strömen elektronisch gesteuert werden, die mit integrierten Schaltungen kompatibel sind.