A single-substrate-processing CVD apparatus is used for forming a BST thin film on a semiconductor wafer while supplying a first process gas containing a mixture of Ba(thd).sub.2 and Sr(thd).sub.2, and a second process gas containing Ti(O-iPr)(thd).sub.2 or Ti(thd).sub.2. Precursors of Ba and Sr have lower activation energies and higher resistivities than precursors of Ti. The first and second process gases are supplied from a shower head which has a group of first spouting holes for spouting the first process gas and a group of second spouting holes for spouting the second process gas. The group of the second spouting holes are designed to have diameters gradually decreasing in radial directions outward from the center of a shower region, such that the second process gas is supplied at a spouting rate gradually decreasing in radial directions outward from the center.

Μια ενιαίος-υπόστρωμα-επεξεργαμένος cvd συσκευή χρησιμοποιείται για τη διαμόρφωση μιας λεπτής ταινίας ΒΣΤ σε μια γκοφρέτα ημιαγωγών παρέχοντας μια πρώτη διαδικασία που περιέχει αέριο ένα μίγμα του Ba(thd).sub.2 και του Sr(thd).sub.2, και μια δεύτερη διαδικασία που περιέχει αέριο τους προδρόμους Ti(O-iPr)(thd).sub.2 ή Ti(thd).sub.2. του BA και του SR έχει τις χαμηλότερες ενέργειες ενεργοποίησης και τις υψηλότερες ειδικές αντιστάσεις από τους προδρόμους του Tj. Τα πρώτα και δεύτερα αέρια διαδικασίας παρέχονται από ένα κεφάλι ντους που έχει μια ομάδα πρώτων να ρίξει τρυπών για να ρίξει την πρώτη διαδικασία αέριο και μια ομάδα δεύτερων να ρίξει τρυπών για να ρίξει τη δεύτερη διαδικασία αέριο. Η ομάδα των δεύτερων να ρίξει τρυπών έχει ως σκοπό να έχει τις διαμέτρους που μειώνονται βαθμιαία στις ακτινωτές κατευθύνσεις εξωτερικά από το κέντρο μιας περιοχής ντους, έτσι ώστε η δεύτερη διαδικασία αέριο παρέχεται σε ένα να ρίξει ποσοστό που μειώνεται βαθμιαία στις ακτινωτές κατευθύνσεις εξωτερικά από το κέντρο.